SK Hynix从Cheongzhou M15X开始测试生产线：在1 MILMM过程中生成DRAM，以满足HBM增长需求

SK Hynix于去年4月宣布，对人工智能半导体（AI）的需求大量增加，它将扩大其用于HBM等新一代DRAM的生产能力。在M15X工厂尝试您的生产线，以生产1β（B）NM（第5代10 nm）的DRAM芯片，以满足市场不断增长的市场需求。预计SK Hynix将于11月搬到该团队，组织一个在今年第四季度完成安装的仪式，以每月10,000瓦金夫的初始能力目标。三星竞争对手计划使用1CNM工艺（第六代10 nm）生产下一代HBM4芯片，SK Hynix和Micron DRAM。但是，作为目前最大的HBM供应商，SK Hynix首先需要解决生产能力问题，以解决基于上海的订单。 SK Hynix成为Timpo，宣布已成功完成N的开发AI，HBM4的EW高性能记忆产品，并建立了世界上第一个质量生产系统。 NVIDIA的下一代Vera Rubin产品系列将采用HBM4，一旦M15X工厂进入生产，SK Hynix具有更大的生产能力来处理下一个增长回合。同时，三个原始制造商之一的微米似乎存在一些问题。满足HBM4 NVIDIA提出的高速规范要求不仅努力工作，而且还满足SOCMM要求。还可以预期，只能获得NVIDIA订单的最低分配。
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